MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (5)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

2A(Tc) (5)

漏源电压（Vdss）：

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

4.5 Ω @ 1A,10V (5)

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

5 条记录

	MOS(场效应管)/STD2N80K5 型号：STD2N80K5 品牌：ST(意法半导体) 封装：TO-252-2(DPAK) 包装：- 描述：N沟道,800V,2A 数据手册	含增值税 1+ ¥10.4880 10+ ¥10.2240 30+ ¥10.0440 100+ ¥9.8640	整包 2500 个库存：7 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/CS2N60A3H 型号：CS2N60A3H 品牌：华润华晶封装：TO-251(I-PAK) 包装：管装描述：N沟道,600V,2A,3.6Ω@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.0440 10+ ¥0.7800 30+ ¥0.7320 100+ ¥0.6840 500+ ¥0.6600	整包 75 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/CS2N65FA9 型号：CS2N65FA9 品牌：华润华晶封装：TO-220F(TO-220IS) 包装：管装描述：N沟道,650V,2A,3.9Ω@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.5480 10+ ¥1.1640 30+ ¥1.0920 100+ ¥1.0200 500+ ¥0.9840	整包 50 个库存：27 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/JCS2N60FB-220MF 型号：JCS2N60FB-220MF 品牌：吉林华微封装：TO-220MF 包装：- 描述：N沟道数据手册	含增值税 1+ ¥1.5240 10+ ¥1.1520 30+ ¥1.0800 100+ ¥1.0080 500+ ¥0.9720	整包 50 个库存：30 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/STU2N80K5 型号：STU2N80K5 品牌：ST(意法半导体) 封装：IPAK 包装：- 描述：N-CH 800V 2A 数据手册	含增值税 1+ ¥5.3280 10+ ¥3.9480 30+ ¥3.6960 100+ ¥3.4440 500+ ¥3.3240	整包 75 个库存：2,999 加入购物车提交询价

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