MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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品牌：

类型：

N 沟道 (6)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

4A(Tc) (6)

漏源电压（Vdss）：

600V (6)

栅源极阈值电压：

4V @ 250uA (6)

漏源导通电阻：

2.3 Ω @ 2A,10V (6)

最大功率耗散（Ta）：

已选条件：

6 条记录

	MOS(场效应管)/CS4N60A3HD 型号：CS4N60A3HD 品牌：华润华晶封装：TO-251(I-PAK) 包装：管装描述：N沟道,600V.4A 数据手册	含增值税 1+ ¥1.4040 10+ ¥1.0560 30+ ¥0.9840 100+ ¥0.9240 500+ ¥0.8880	整包 75 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/CS4N60A8HD 型号：CS4N60A8HD 品牌：华润华晶封装：TO-220(TO-220-3) 包装：管装描述：N沟道,600V,4A,1.8Ω@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.8360 10+ ¥1.3800 30+ ¥1.2960 100+ ¥1.2120 500+ ¥1.1640	整包 50 个库存：0 提交询价
	MOS(场效应管)/CS4N60FA9HD 型号：CS4N60FA9HD 品牌：华润华晶封装：TO-220F(TO-220IS) 包装：管装描述：N沟道,600V.4A 数据手册	含增值税 1+ ¥2.0280 10+ ¥1.5240 30+ ¥1.4400 100+ ¥1.3440 500+ ¥1.2960	整包 50 个库存：88 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/CS4N60A7HD 型号：CS4N60A7HD 品牌：华润华晶封装：TO-126F 包装：管装描述：N沟道,600V,4A,1.8Ω@10V 数据手册	含增值税 1+ ¥1.5720 10+ ¥1.1760 30+ ¥1.1040 100+ ¥1.0320 500+ ¥0.9960	整包 75 个库存：50 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/KNF4360A 型号：KNF4360A 品牌：KIA 半导体封装：TO-220F(TO-220IS) 包装：盒装描述：N沟道，600V，4A 数据手册	含增值税 1+ ¥1.6320 10+ ¥1.2240 30+ ¥1.1520 100+ ¥1.0680 500+ ¥1.0320	整包 1000 个库存：969 加入购物车提交询价
	MOS(场效应管)/CS4N60A4HD 型号：CS4N60A4HD 品牌：华润华晶封装：TO-252-2(DPAK) 包装：编带描述：N沟道,600V.4A 数据手册	含增值税 1+ ¥1.4040 10+ ¥1.0560 30+ ¥0.9840 100+ ¥0.9240 500+ ¥0.8880	整包 2500 个库存：2,122 加入购物车提交询价

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