自营库存
原装正品 现货库存
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含增值税
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描述：芯片 电压基准 XFET LDO 拓扑结构: 串联
输入电压 最小: 3V
输入电压最大值: 18V
基准源电压: 2.048V
容差, 基准电压: 1mV
电压基准封装形式: SOIC
针脚数: 8
温度系数: 3ppm/°C
MSL: MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
器件标号: 440
容差: 1.0%
容差, 基准电压 & 老化: 0.05%
工作温度最小值: -40°C
工作温度最
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描述：1.235V -2.83%,+1.22%
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描述：芯片 精密 电压基准 2.5V 拓扑结构: 串联
输入电压 最小: 4.5V
输入电压 最大: 30V
基准源电压: 2.5V
容差, 基准电压: 75mV
封装形式: TO-52
针脚数: 3
温度系数: 85ppm/°C
MSL: (不适用)
SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
二极管类型: 参考电压
功耗最大值: 350mW
容差: 0.4%
容差, 基准电压 & 老化: 0.4%
工作温度最小值: -55°
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描述：高精度,分流模式基准电压源(3.0V)
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描述：精密,微功耗,分流模式基准电压源
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