Product overview
- Product name
- SI8810EDB-T2-E1
- Part Number
- SI8810EDB-T2-E1
- Manufacturer
- VISHAY(威世)
- Product Category
- MOS(场效应管)
- Description
- N沟道
Documents & Media
- Datasheets
- SI8810EDB-T2-E1
Product Attributes
- 最大功率耗散（Ta） :
- 500mW
- 栅源极阈值电压 :
- 900mV @ 250uA
- 漏源导通电阻 :
- 72 mΩ @ 1A,4.5V
- 漏源电压（Vdss） :
- 20V
- 类型 :
- N 沟道
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时） :
- 2.1A
Documents & Media
Q : 平台上的商品都是正品吗？
A : 请您放心,中威电子所售卖的商品均为原装正品，我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商，从源头保证品质。
Q : 可以提供原厂代理资质证明吗？
A : 中威电子自营精选品牌获得原厂授权代理资质，可以提供代理证书。部分商品数据来源于合作伙伴（如信和达、富昌电子、RS电子），我们对产品都进行了严格的资质审核，拥有原厂标签和相关票据以供查验。
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A : 下单前请仔细核对产品型号信息，如因自身原因造成的误订错订，中威电子将不接受退换货要求。如果产品出现数量不对、型号不符、产品质量问题时，请务必保留原包装和标签，并在两周内联系我们申请退货。
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