Product overview
- Product name
- SI1013X-T1-GE3
- Part Number
- SI1013X-T1-GE3
- Manufacturer
- VISHAY(威世)
- Product Category
- MOS(场效应管)
- Description
- P沟道,-20V,-350mA,1.2Ω@-4.5V
Documents & Media
- Datasheets
- SI1013X-T1-GE3
Product Attributes
- 最大功率耗散（Ta） :
- 250mW
- 栅源极阈值电压 :
- 450mV @ 250uA(最小)
- 漏源导通电阻 :
- 1.2 Ω @ 350mA,4.5V
- 漏源电压（Vdss） :
- 20V
- 类型 :
- P 沟道
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时） :
- 350mA
Documents & Media
Q : 平台上的商品都是正品吗？
A : 请您放心,中威电子所售卖的商品均为原装正品，我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商，从源头保证品质。
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Price & Procurement
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