Product overview
- Product name
- MEM2302M3G
- Part Number
- MEM2302M3G
- Manufacturer
- MICRONE(南京微盟)
- Product Category
- MOS(场效应管)
- Description
- N沟道
Documents & Media
- Datasheets
- MEM2302M3G
Product Attributes
- 最大功率耗散（Ta） :
- 700mW
- 栅源极阈值电压 :
- 850mV @ 250uA
- 漏源导通电阻 :
- 50 mΩ @ 3A,4.5V
- 漏源电压（Vdss） :
- 20V
- 类型 :
- N 沟道
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时） :
- 3A
Documents & Media
Q : 平台上的商品都是正品吗？
A : 请您放心,中威电子所售卖的商品均为原装正品，我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商，从源头保证品质。
Q : 可以提供原厂代理资质证明吗？
A : 中威电子自营精选品牌获得原厂授权代理资质，可以提供代理证书。部分商品数据来源于合作伙伴（如信和达、富昌电子、RS电子），我们对产品都进行了严格的资质审核，拥有原厂标签和相关票据以供查验。
Q : 可以进行线下交易吗？
A : 我们提供线下付款服务，方便公司的采购与财务对接，具体操作流程可在线咨询客服。
Q : 可以退货吗？
A : 下单前请仔细核对产品型号信息，如因自身原因造成的误订错订，中威电子将不接受退换货要求。如果产品出现数量不对、型号不符、产品质量问题时，请务必保留原包装和标签，并在两周内联系我们申请退货。
Price & Procurement
Associated Product
You May Also Be Interested In
RC0402FR-0745K3L
SIT8008BI-23-18E-14.318180G
SIT8008BI-21-33E-19.6608D
SIT8008BI-22-18S-28.636360E
SIT8008BI-21-33S-12.000000E
GCM21BR91H104KA37L
RC0805FR-0726R1L
SIT8008BI-22-XXE-37.124900E
C1608C0G1E822J080AA
SIT8008BI-21-33E-20.000000D
RC0201JR-07130RL
SIT8008BI-21-33S-3.686400E
SIT8008BI-21-33E-50.000000E
0201CG470J500NT
X1G004451000200
GJM1555C1H3R3BB01D
SIT8008BI-22-18E-27.000000E
SIT8008BI-21-XXS-33.000000E
SIT8008BI-23-18E-33.333333G
CQ0402CRNPO9BN2R2
