MOS(场效应管) - 北京中天恒威科技有限公司

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Manufacturer：

类型：

2 N 沟道(双)非对称型 (3)

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：

漏源电压（Vdss）：

30V (3)

栅源极阈值电压：

漏源导通电阻：

最大功率耗散（Ta）：

Selected conditions：

3 Records

	MOS(场效应管)/CSD87335Q3D Part：CSD87335Q3D Mfg：TI(德州仪器) Package：LSON-8 Packing：编带 DESC：同步降压 NexFET 电源块 Datasheet	VAT included 1+ ¥13.4040 10+ ¥13.0560 30+ ¥12.8280 100+ ¥12.6000	Whole 2500 个 Stock：10 Add to cart Get quote
	MOS(场效应管)/CSD87334Q3DT Part：CSD87334Q3DT Mfg：TI(德州仪器) Package：VSON-8 Packing：编带 Datasheet	VAT included 1+ ¥14.8560 10+ ¥14.4720 30+ ¥14.2200 100+ ¥13.9680	Whole 250 个 Stock：0 Get quote
	MOS(场效应管)/DMT3009LDT-7 Part：DMT3009LDT-7 Mfg：DIODES(美台) Package：V-DFN3030-8 Packing：编带 DESC：双N沟道 Datasheet	VAT included 1+ ¥1.9920 10+ ¥1.4880 30+ ¥1.3920 100+ ¥1.2960 500+ ¥1.2600	Whole 3000 个 Stock：305 Add to cart Get quote